![[Модуль памяти] Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM](https://ittw.online/image/cache/catalog/products/1010301-500x400.jpg "[Модуль памяти] Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM")
| Основные характеристики | - |
| Производитель | Samsung |
| Линейка | - |
| Модель | M425R1GB4BB0-CWM |
| Тип оборудования | Оперативная память |
| Частота (MHz) | 5600 |
| Тип памяти DDR | DDR5 |
| Тип памяти | SO-DIMM |
| Объем одного модуля (ГБ) | 8 |
| Количество модулей в комплекте (шт) | 1 |
| Общий объем памяти (ГБ) | 8 |
| Пропускная способность (МБ/с) | 44800 |
| Поддержка ECC | Нет |
| Поддержка Reg | Нет |
| Низкопрофильная | нет |
| Количество чипов на модуле | - |
| Количество контактов | 262 |
| Тайминги | - |
| CAS Latency (CL) | 40 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | - |
| Row Precharge Delay (tRP) | - |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | - |
| Тайминги | - |
| Охлаждение | - |
| Радиатор | Нет |
| Поддержка водяного охлаждения | - |
| Дополнительные характеристики | - |
| Цвет | - |
| Подсветка | нет |
| Напряжение (В) | 1.1 |
| Нормальная операционная температура (Tcase) | - |
| Расширенная операционная температура (Tcase) | - |
| Компоновка чипов на модуле | - |
| Чип | - |
| Потребление энергии | - |
| Габариты (мм) | - |
| Высота (мм) | - |
| Вес (грамм) | - |
| Дополнительная информация | - |
| Тип поставки | OEM |
| Название серии | - |
| Комплектация | Память |
| Количество товара в УЕИ | 1 |
| Сайт производителя | Сайт производителя |
| Сервисный центр производителя | Сервисный центр производителя |
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Samsung
Samsung... Подробнее...Похожие товары
Вы смотрели